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關于氦氖激光器與半導體激光器的對比

瀏覽次數:9078 發布日期:2019-2-13  來源:本站 僅供參考,謝絕轉載,否則責任自負
 
   波長越短測量精度越高。氦氖激光波長632.8納米,顯然優于半導體激光635納米和650納米。
   氦氖激光線寬窄穩定性高在諸多激光器中是首屈一指的,這已經是光學界的共識。
   半導體激光器的線寬在各種激光器中是最寬的,可以達到幾十至幾百cm-1,也就是說半導體激光器的單色性是最差的。
從激光原理看,激光發光與躍遷能級差有關,發光的波長與能級差的關系可以描述為  ΔΕ=hν=hс/λ  式中h為普朗克常數,ν為波數,c為光速,λ為波長,ΔΕ=E2-E1 是上下能級之差。
   氦氖激光受激發射是在原子的能級之間躍遷是一個定值,因此波長λ也是一定的。
   但是,半導體激光是電子在能帶之間躍遷,能帶本身有一個寬度,設電子低能態的能量為E1—E1+ΔE1之間,電子高能態E2—E2+ΔE2之間,躍遷能量ΔΕ最大值為E2-E1+ΔE2躍遷能量最小值 E2-E1-ΔE1。在此能量范圍之內,發出的光波長當然也是不確定的。因此,半導體激光發出的波長是在一個范圍之內的多種波長的光的集合。
   半導體激光除了波長長,線寬寬,單色性差以外還有溫度穩定性差的突出缺點,所以很少用于計量與測試。它的優點是工作電壓低、體積小、轉換效率高。因此可以廣泛用于對單色性要求不高的工業與民用場合。
發布者:濟南微納科技有限公司
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