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1023 次 TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析 2024-10-10
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ Time of FlightSecondary Ion Mass Spectrometry ，TOF-SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次粒子,
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823 次 二次離子質(zhì)譜儀不同質(zhì)量分析器的區(qū)別 2024-9-13
二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù)，利用化合物的離子化過程及其質(zhì)量分析，以確定待測化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分，通過將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離，并
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1130 次 TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀離子源的選擇 2024-8-29
TOF-SIMS（TimeofFlight Secondary Ion Mass Spectrometry）飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。
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1240 次 使用TOF-SIMS進(jìn)行材料研究 2024-8-13
靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層，這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Ko
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1365 次 TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜的技術(shù)能力 2024-8-6
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜 （TOF-SIMS） 是一種表面分析技術(shù)，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無機(jī)和元素種類的信息。例
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3120 次 一文讀懂飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)（TOF-SIMS） 2024-8-1
什么是TOF SIMS? 它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問題，以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（ToF SIMS）是一種用
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