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當(dāng)前位置 > 首頁 > 技術(shù)文章> tof-sims
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  • 1023 TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析 2024-10-10
    飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜( Time of FlightSecondary Ion Mass Spectrometry ,TOF-SIMS)是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面,使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次粒子,

  • 823 次 二次離子質(zhì)譜儀不同質(zhì)量分析器的區(qū)別 2024-9-13
    二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù),利用化合物的離子化過程及其質(zhì)量分析,以確定待測化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分,通過將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離,并

  • 1130 TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀離子源的選擇 2024-8-29
    TOF-SIMS(TimeofFlight Secondary Ion Mass Spectrometry)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束,和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。

  • 1240 使用TOF-SIMS進(jìn)行材料研究 2024-8-13
    靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),能在只消耗樣品單層一小部分的情況下,獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層,這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Ko

  • 1365 TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜的技術(shù)能力 2024-8-6
    飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜 (TOF-SIMS) 是一種表面分析技術(shù),它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面,在濺射過程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無機(jī)和元素種類的信息。例

  • 3120 一文讀懂飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(TOF-SIMS) 2024-8-1
    什么是TOF SIMS? 它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?能提供哪些信息?哪些樣品適用(哪些不適用)?在這一系列文章中,我們將解答所有這些問題,以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(ToF SIMS)是一種用

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